Публикации

"Общие вопросы радиоэлектроники". Научно технический сборник. 2016 год, г.Ростов-на-Дону, выпуск 1

СОДЕРЖАНИЕ


АНТЕННЫ И УСТРОЙСВА СВЧ


  1. Эволюционный алгоритм оценки коэффициента направленного действия антенных решеток. М. В. Гаврилов, Д. Г. Карапетян, А. А. Колесникова, А. В. Литвинов, С. Е. Мищенко
 6
  1. Модернизация опорно-поворотного устройства антенно-приемного комплекса для работы с низкоорбитальными космическими аппаратами. М. И. Саченко, М. О. Хмельницкий
 14
  1. Реализация системы вращающихся переходов в опорно-поворотном устройстве двухдиапазонной антенны. С. И. Гнездилов, А. Ю. Логвинов
 21
  1. Автоматизированный комплекс измерения основных параметров антенных систем спутниковой связи по космическим источникам радиоизлучения. Ю. А. Долгополова, Е. А. Домашенко, В. В. Яковенко
 26

СИСТЕМЫ, КОМПЛЕКСЫ И УСТРОЙСТВА ПРИЕМА И ОБРАБОТКИ СИГНАЛОВ


  1. Двухэтапный алгоритм работы многоканального корреляционно- интерферометрического пеленгатора. А. В. Аверьянов, Ю. А. Ломанцова, А. А. Строцев, И. А. Сухенький
 35
  1. Повышение быстродействия высокоточного измерителя угловых координат в обзорной моноимпульсной радиолокационной системе с антенной решеткой. А. Л. Джиоев, В. В. Яковленко
 50
  1. Шаговый динамический экстраполятор в задачах контроля радиоэлектронной обстановки. А. А. Костоглотов, А. А. Кузнецов, А. А. Мурашов
 64
  1. Широкополосный автоматический компенсатор помехи прямого прохождения. И. В. Трофименков
 78
  1. Эффективное использование вычислительных ресурсов на примере локальной вычислительной сети предприятия. Е. В. Головачева, В. А. Коваленко, О. А. Попков, А. А. Строцев
 88

ФУНКЦИОНАЛЬНЫЕ УСТРОЙСТВА ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ И ИХ ТЕХНОЛОГИИ


  1. Исследование шумовых параметров транзисторов для проектирования малошумящих МИС СВЧ. В. Н. Долгополов, В. В. Казачков
 96
  1. Технология изготовления однокристальных радиоприемных устройств и преобразователей частоты повышенного уровня интеграции на комбинированных гетероструктурах арсенида галлия. Д. В. Кантюк, А. В. Толстолуцкая, С. И. Толстолуцкий, А. В. Шевцов
102
  1. Повышение технологической точности формирования каналов транзисторов в процессе производства МИС СВЧ на арсениде галлия. И. В. Дей, Т. А. Николаева, Е. М. Сова, А. В. Толстолуцкая
 111
  1. Твердотельные многоканальные СВЧ переключатели на арсениде галлия диапазона 0,1 – 3,0 ГГц. А. О. Ладыгин, А. И. Ли, П. А. Повороженко, С. И. Толстолуцкий
 119